ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นตะกั่วเรเดียลจุ่ม

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นที่มีสารตะกั่วเป็นตัวเก็บประจุแบบตายตัวโดยมีวัสดุเซรามิกทำหน้าที่เป็นไดอิเล็กตริก ประกอบด้วยแผ่นนำไฟฟ้าหลายชั้น โดยแต่ละชั้นคั่นด้วยชั้นเซรามิกไดอิเล็กตริก เซรามิกและโลหะสลับกันเป็นชั้นๆ เพื่อสร้างชิปหลายชั้น ชิปนี้ติดตั้งด้วยสายไฟตะกั่วและเคลือบอีพ็อกซี่ทำให้ Leaded MLCC ตัวเก็บประจุแบบตะกั่วมาพร้อมกับสายที่สามารถติดอยู่ในเขียงหั่นขนมหรือบัดกรีด้วยมือในบอร์ดต้นแบบหรือแผงวงจรพิมพ์ (PCB)

●ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกหลายชั้นแบบจุ่มเรเดียลตะกั่ว CT4 ซีรี่ส์

ตัวเก็บประจุแบบ UF ผลิตตัวเก็บประจุแบบเซรามิกหลายชั้นแบบมีสารตะกั่ว THT (เรียกอีกอย่างว่าตัวเก็บประจุแบบโมโน) ซึ่งประกอบด้วยสองซีรีส์: ซีรีย์ CT4 เรเดียล mlcc และตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบตะกั่วตามแนวแกน CT42 แรงดันไฟฟ้าทั่วไปคือ 50V และ 100V ในขณะที่ MLCC แนวรัศมีแรงดันสูง 200V, 500V, 1000V, 2000V, 3000V สามารถขอได้ ระยะเวลาดำเนินการสำหรับชุดนี้ 3 สัปดาห์
 

●ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกเสาหินชนิดตะกั่วเรเดียล CT4 ซีรี่ส์

* ขนาดเล็กความจุกว้าง;
* ช่วงแรงดันไฟฟ้ากว้างตั้งแต่ 50V ถึง 3000V
* บรรจุภัณฑ์เทปกระสุนสำหรับการจัดวางอัตโนมัติ
* ความน่าเชื่อถือสูง
* มีรูปแบบการจีบและแบบตรง
* เรซิน (UL94 V-0) ใช้สำหรับเคลือบ
* เคลือบด้วยอีพอกซีเรซิน ต้านทานความชื้นได้ดี ป้องกันตัวเครื่องเสียหายระหว่างการบัดกรีและล้าง

●ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกหลายชั้นแบบจุ่มเรเดียล CT4 ซีรี่ส์

* วงจรสวิตชิ่งโหมดสวิตชิ่ง AC-DC หรือ DC-DC converter
* ตัวป้องกันเสียงรบกวนสำหรับอุปกรณ์ประเภทต่างๆ
* วงจรบายพาสหรือดีคัปปลิ้ง
* การชดเชยอุณหภูมิ
* คัปปลิ้งและดีคัปปลิ้ง
* ทางเลือกแทน Murata RPE, RDE series, AVX Skycap SR SA series

●ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบตะกั่วเรเดียลแบบจุ่ม CT4 ซีรี่ส์ คุณสมบัติผลิตภัณฑ์

ได้มาตรฐาน RoHS
เป็นไปตามข้อกำหนด REACH

●Radial Lead MLCC CT4 Series การจัดส่ง การจัดส่ง และเงื่อนไข

จัดส่งที่รวดเร็ว 3 สัปดาห์
มีหุ้นปกติ
งานเก่า ข้อกำหนด FCA หรือข้อกำหนด FOB

●ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกหลายชั้นแบบจุ่มเรเดียล ตารางขนาด CT4 ซีรี่ส์ (โครงร่างและขนาดภายนอก)

	ข้างใน	รูปร่าง	ขนาด (มม.)				แรงดันไฟฟ้า	ความจุ (PF)	X7R	Y5V(Z5U)
	ชิป		พี(±0.5)	Lmax	Wmax	Tmax		NPO	101~105	103~475
		b	2.54				25V	OR5~103	101~474	103~105
	0603	C1	5.08	4.2	3.8	3.8	50V	OR5~103	101~104	103~104
		C3	5.08				100V	OR5~103	101~105	103~475
		b	2.54				25V	OR5~103	101~474	103~105
	0805	C1	5.08	4.2	3.8	3.8	50V	OR5~103	101~104	103~104
		C3	5.08				100V	OR5~103	101~225	103~106
		a	2.54				25V	OR5~104	101~225	103~106
	1206	b	2.54	5.5	4.5	3.8	50V	OR5~473	101~105	103~155
		C1	5.08				100V	OR5~473	101~106 101~475	103~106 103~106
	1210	ข	2.54	5.5	5.5	3.8	25V 50V	OR5~104 OR5~473	101~105	103~155
			5.08				100V	OR5~473	101~106	103~106
							25V	OR5~104	101~106	103~106
	1812	b	5.08	8.5	7.0	3.8	50V	OR5~104	101~105	103~155
							100V	OR5~473	101~106	103~106
							25V	OR5~104	101~106	103~106
	2225	b	5.5	10.5	9.5	4.5	50V	OR5~104	101~105	103~155
							100V	OR5~473	101~106	103~106
							25V	OR5~104	101~106	103~106
	3035	b	7.5	12.5	10.5	4.5	50V	OR5~104	101~105	103~155
							100V	OR5~473

●ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกหลายชั้นแบบตะกั่วเรเดียลแบบจุ่ม ขนาด CT4 ซีรี่ส์ ข้อมูลและลักษณะทางไฟฟ้าทั่วไป

ที.ซี	NPO/COG	X7R(B)	Y5V(ใช่/F)	Z5U(จ)
ประเภทอิเล็กทริก	ไดอิเล็กตริกเสถียร Class I	อิเล็กทริก ClassII ที่เสถียร
คุณสมบัติทางไฟฟ้า	ด้วยการพึ่งพาอาศัยกันเล็กน้อยของคุณสมบัติทางไฟฟ้าต่ออุณหภูมิ ความถี่ แรงดันไฟฟ้า ความถี่ และเวลา	ด้วยการเปลี่ยนแปลงคุณสมบัติที่คาดการณ์ได้ด้วยอุณหภูมิ ความถี่ แรงดันไฟ ความถี่ ไดอิเล็กตริกนี้เป็นเฟอร์โรอิเล็กทริกและมีช่วงความจุที่สูงกว่า Class I	ด้วยค่าคงที่ไดอิเล็กตริกแบบบิดสูงและคุณสมบัติแปรผันที่มากขึ้นด้วยอุณหภูมิและสภาวะการทดสอบ ǃ ความจุสูงมากต่อหน่วยปริมาตร
แอปพลิเคชัน	ใช้ในวงจรลดประสิทธิภาพการทำงานที่มั่นคง	ใช้เป็นตัวบล็อกǃcouplingǃโดยผ่านองค์ประกอบการเลือกปฏิบัติ	เหมาะสำหรับการใช้งาน By-passing และ coupling เช่น เก็บพลังงานและวงจรหน่วยความจำ
ช่วงความจุ	1pF~10nF	100pF~5uF	1nF~14.7uf
อุณหภูมิในการทำงาน	0±30PPm/c -55E—~+125E—	±15% -55E—~+125E—	+30%~-80% -25E—~+85E—	+22%~-56% -10E—~+85E—

●เอกสารที่เกี่ยวข้องสำหรับตัวเก็บประจุแบบเซรามิกหลายชั้นแบบจุ่ม CT4 Series

REACH 2021 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก

RoHS 2021 ตัวเก็บประจุแบบเซรามิก

UF Capacitors ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกอ้างอิงไขว้